來源  /  jiyaostation、榮格電子芯片綜合報(bào)道

一直委托臺(tái)積電提供先進(jìn)封裝服務(wù)的高通，近日，卻有了新動(dòng)作。

為了拓展AI PC、車用及服務(wù)器等市場(chǎng)，高通將采用聯(lián)電的先進(jìn)封裝晶圓堆疊技術(shù)，并將結(jié)合PoP封裝，取代過去傳統(tǒng)由錫球焊接的封裝模式，讓芯片與芯片之間的信號(hào)傳輸距離更近，達(dá)到無須再透過提升晶圓制程，就可提高芯片計(jì)算效能的目的。

高通選擇聯(lián)電的具體原因尚未公開，聯(lián)電對(duì)此也未做正面的公開回應(yīng)，只是強(qiáng)調(diào)先進(jìn)封裝是企業(yè)積極發(fā)展的重點(diǎn)，并且會(huì)攜手智原Faraday、矽統(tǒng)SIS等子公司與內(nèi)存供應(yīng)伙伴華邦Winbond，攜手打造先進(jìn)封裝生態(tài)系統(tǒng)。

臺(tái)媒表示，聯(lián)電目前在先進(jìn)封裝領(lǐng)域的主要存在是為 RFSOI 射頻芯片提供中介層，這一業(yè)務(wù)僅占到整體營(yíng)收的一小部分，此次高通下單意味著聯(lián)電將迎來業(yè)績(jī)新動(dòng)能并更深度地進(jìn)入先進(jìn)封裝市場(chǎng)。

從此前布局來看，聯(lián)電選擇“聯(lián)電+OSAT”的合作模式進(jìn)軍先進(jìn)封裝領(lǐng)域，即由聯(lián)電完成前段2.5DTSI硅中介層晶圓(FEoL+TSV+FS RDL)，然后交由封測(cè)廠完成中段MEoL和后段BEoL工序。

圖片來源：中泰證券

此次獲得高通青睞，將使聯(lián)電從RFSOI 射頻芯片擠進(jìn)高端芯片賽道。業(yè)界預(yù)測(cè)，高通以聯(lián)電先進(jìn)封裝制程打造的新款高性能計(jì)算芯片，有望在2025下半年開始試產(chǎn)，并在2026年進(jìn)入放量出貨階段。

那么，先進(jìn)封裝市場(chǎng)格局是怎樣的？上游國(guó)產(chǎn)設(shè)備企業(yè)都有哪些值得重點(diǎn)關(guān)注呢？

Part 1

先進(jìn)封裝市場(chǎng)格局鮮明

一、前道廠商方面，第一梯隊(duì)臺(tái)積電/英特爾/三星，第二梯隊(duì)聯(lián)電/中芯國(guó)際/武漢新芯。臺(tái)積電代表了2.5D/3D先進(jìn)封裝技術(shù)的領(lǐng)先水平，Intel與其同臺(tái)競(jìng)技，三星緊隨其后。聯(lián)電提供2.5D所需硅中介層，與封測(cè)廠商合作提供解決方案，并具備3D混合鍵合能力。

國(guó)內(nèi)廠商中，中芯國(guó)際在2.5D和3D領(lǐng)域進(jìn)行了較為全面的研發(fā)布局；武漢新芯是國(guó)內(nèi)較早布局3DIC技術(shù)的企業(yè)；中芯國(guó)際和武漢新芯均可提供2.5D中介層，均具備3D混合鍵合量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)。

二、中后道廠商方面，國(guó)際領(lǐng)先廠商日月光/安靠，國(guó)內(nèi)廠商看盛合晶微/長(zhǎng)電科技/通富微電/華天科技/甬矽電子。

日月光、安靠在2.5D封裝領(lǐng)域布局較早，產(chǎn)品組合對(duì)標(biāo)臺(tái)積電、英特爾等廠商，硅中介層與聯(lián)電等晶圓廠協(xié)同。盛合晶微較早布局硅中介層的2.5D封裝，長(zhǎng)電科技、通富微電在有機(jī)RDL中介層方案上國(guó)內(nèi)較早量產(chǎn)。華天科技已推出eSinC2.5D平臺(tái)，甬矽電子正開展2.5D產(chǎn)業(yè)化。

Part 2

先進(jìn)封裝國(guó)產(chǎn)設(shè)備廠家脫穎而出

首先是攻克光刻技術(shù)難題。無論在通過硅孔（TSV）的鉆孔過程中，使用光刻和刻蝕來完成，還是在UBM（UnderBump Metallization）中進(jìn)行定位，以及在IDA（Idea DevelopmentAcceleration）中的圖形轉(zhuǎn)移等方面，光刻技術(shù)都會(huì)被應(yīng)用。國(guó)內(nèi)在光刻技術(shù)方面，相關(guān)企業(yè)如微為電子和微商都在進(jìn)行布局。

第二是涂膠顯影設(shè)備。在UBM和IDA等過程中，顯影步驟也是必不可少的。之前這類設(shè)備主要依賴國(guó)外廠商，而現(xiàn)在像新月微等國(guó)內(nèi)企業(yè)也取得了一定的突破。

第三是薄膜沉積設(shè)備。隨著技術(shù)的發(fā)展和封裝層數(shù)的增加，沉積設(shè)備的用量也在增長(zhǎng)。例如在TSV中，電鍍前需要完成的沉積過程，無論是使用PD、Cu還是其他材料，都有廣泛的應(yīng)用。在這一塊，國(guó)內(nèi)公司如北方華創(chuàng)和拓晶科技的發(fā)展也值得關(guān)注。

第四是刻蝕設(shè)備（如Eka、Naka設(shè)備）。在TSV和其他先進(jìn)封裝技術(shù)中也需使用，國(guó)內(nèi)企業(yè)如中微公司和北方華創(chuàng)等都在持續(xù)引入這些設(shè)備。

第五塊是切片后導(dǎo)設(shè)備。比如切片機(jī)和背磨機(jī)，在晶圓切割時(shí)對(duì)精度、使用量以及激光開槽的需求都在增加。國(guó)內(nèi)激光開槽和機(jī)械切片領(lǐng)域，如光力科技等公司也在進(jìn)行布局，之前這部分主要依賴于日本的Disco公司。

接下來是晶片減薄技術(shù)。在TSV和三維堆疊封裝中，晶片厚度要求嚴(yán)格，因此減薄機(jī)的用量提升，并且需要控制精度以防止芯片的翹曲和破裂等問題。黃海金科等國(guó)內(nèi)企業(yè)的進(jìn)展值得關(guān)注。

再看固晶機(jī)的發(fā)展。精確的芯片抓取和放置，以及外圍的精密度都在提升。也可以關(guān)注國(guó)內(nèi)設(shè)備制造商在這方面的進(jìn)展。之前這一領(lǐng)域由BEST主導(dǎo)，而現(xiàn)在華峰科技和新益昌等國(guó)內(nèi)公司也在積極拓展市場(chǎng)。

然后是鍵合技術(shù)。比如TB或者混合鍵合，我們可以關(guān)注的是這些技術(shù)的發(fā)展?fàn)顩r。模塑機(jī)方面，技術(shù)從注塑向壓塑轉(zhuǎn)變。在先進(jìn)封裝設(shè)備中，模塑機(jī)有較大的變化。國(guó)內(nèi)在這部分有一定積累的企業(yè)，如文藝科技和耐克裝備在壓塑方面的進(jìn)展值得關(guān)注。

再來說電鍍?cè)O(shè)備，在ID及TSV等技術(shù)中電鍍是必需的，圣美科技等電鍍企業(yè)的布局需關(guān)注。

最后，機(jī)械設(shè)備在晶片清洗方面有較高要求，包括結(jié)晶度和離心式真空度等，可以關(guān)注清洗領(lǐng)域的價(jià)值提升。

資料來源：紀(jì)要私享圈（jiyaostation）

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