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聯(lián)電“搶”下高通先進封裝訂單 哪家大陸設(shè)備廠有機會?

來源:榮格電子芯片 發(fā)布時間:2024-12-26 2187
電子芯片半導(dǎo)體封裝設(shè)備 電子芯片封測
從聯(lián)電拿下高通先進封裝訂單為切口,一覽先進封裝市場格局以及掌握大陸先進封裝設(shè)備廠商市場分布格局~

 

來源  /  jiyaostation、榮格電子芯片綜合報道

 

一直委托臺積電提供先進封裝服務(wù)的高通,近日,卻有了新動作。

 

為了拓展AI PC、車用及服務(wù)器等市場,高通將采用聯(lián)電的先進封裝晶圓堆疊技術(shù),并將結(jié)合PoP封裝,取代過去傳統(tǒng)由錫球焊接的封裝模式,讓芯片與芯片之間的信號傳輸距離更近,達到無須再透過提升晶圓制程,就可提高芯片計算效能的目的。

 

高通選擇聯(lián)電的具體原因尚未公開,聯(lián)電對此也未做正面的公開回應(yīng),只是強調(diào)先進封裝是企業(yè)積極發(fā)展的重點,并且會攜手智原Faraday、矽統(tǒng)SIS等子公司與內(nèi)存供應(yīng)伙伴華邦Winbond,攜手打造先進封裝生態(tài)系統(tǒng)。

 

臺媒表示,聯(lián)電目前在先進封裝領(lǐng)域的主要存在是為 RFSOI 射頻芯片提供中介層,這一業(yè)務(wù)僅占到整體營收的一小部分,此次高通下單意味著聯(lián)電將迎來業(yè)績新動能并更深度地進入先進封裝市場。

 

從此前布局來看,聯(lián)電選擇“聯(lián)電+OSAT”的合作模式進軍先進封裝領(lǐng)域,即由聯(lián)電完成前段2.5DTSI硅中介層晶圓(FEoL+TSV+FS RDL),然后交由封測廠完成中段MEoL和后段BEoL工序。

 

圖片來源:中泰證券

 

此次獲得高通青睞,將使聯(lián)電從RFSOI 射頻芯片擠進高端芯片賽道。業(yè)界預(yù)測,高通以聯(lián)電先進封裝制程打造的新款高性能計算芯片,有望在2025下半年開始試產(chǎn),并在2026年進入放量出貨階段。

 

那么,先進封裝市場格局是怎樣的?上游國產(chǎn)設(shè)備企業(yè)都有哪些值得重點關(guān)注呢?

 

 

Part 1

先進封裝市場格局鮮明

 

一、前道廠商方面,第一梯隊臺積電/英特爾/三星,第二梯隊聯(lián)電/中芯國際/武漢新芯。臺積電代表了2.5D/3D先進封裝技術(shù)的領(lǐng)先水平,Intel與其同臺競技,三星緊隨其后。聯(lián)電提供2.5D所需硅中介層,與封測廠商合作提供解決方案,并具備3D混合鍵合能力。

 

國內(nèi)廠商中,中芯國際在2.5D和3D領(lǐng)域進行了較為全面的研發(fā)布局;武漢新芯是國內(nèi)較早布局3DIC技術(shù)的企業(yè);中芯國際和武漢新芯均可提供2.5D中介層,均具備3D混合鍵合量產(chǎn)經(jīng)驗。

 

二、中后道廠商方面,國際領(lǐng)先廠商日月光/安靠,國內(nèi)廠商看盛合晶微/長電科技/通富微電/華天科技/甬矽電子。

 

日月光、安靠在2.5D封裝領(lǐng)域布局較早,產(chǎn)品組合對標(biāo)臺積電、英特爾等廠商,硅中介層與聯(lián)電等晶圓廠協(xié)同。盛合晶微較早布局硅中介層的2.5D封裝,長電科技、通富微電在有機RDL中介層方案上國內(nèi)較早量產(chǎn)。華天科技已推出eSinC2.5D平臺,甬矽電子正開展2.5D產(chǎn)業(yè)化。

 

 

Part 2

先進封裝國產(chǎn)設(shè)備廠家脫穎而出

 

首先是攻克光刻技術(shù)難題。無論在通過硅孔(TSV)的鉆孔過程中,使用光刻和刻蝕來完成,還是在UBM(UnderBump Metallization)中進行定位,以及在IDA(Idea DevelopmentAcceleration)中的圖形轉(zhuǎn)移等方面,光刻技術(shù)都會被應(yīng)用。國內(nèi)在光刻技術(shù)方面,相關(guān)企業(yè)如微為電子和微商都在進行布局。

 

第二是涂膠顯影設(shè)備。在UBM和IDA等過程中,顯影步驟也是必不可少的。之前這類設(shè)備主要依賴國外廠商,而現(xiàn)在像新月微等國內(nèi)企業(yè)也取得了一定的突破。

 

第三是薄膜沉積設(shè)備。隨著技術(shù)的發(fā)展和封裝層數(shù)的增加,沉積設(shè)備的用量也在增長。例如在TSV中,電鍍前需要完成的沉積過程,無論是使用PD、Cu還是其他材料,都有廣泛的應(yīng)用。在這一塊,國內(nèi)公司如北方華創(chuàng)和拓晶科技的發(fā)展也值得關(guān)注。

 

第四是刻蝕設(shè)備(如Eka、Naka設(shè)備)。在TSV和其他先進封裝技術(shù)中也需使用,國內(nèi)企業(yè)如中微公司和北方華創(chuàng)等都在持續(xù)引入這些設(shè)備。

 

第五塊是切片后導(dǎo)設(shè)備。比如切片機和背磨機,在晶圓切割時對精度、使用量以及激光開槽的需求都在增加。國內(nèi)激光開槽和機械切片領(lǐng)域,如光力科技等公司也在進行布局,之前這部分主要依賴于日本的Disco公司。

 

接下來是晶片減薄技術(shù)。在TSV和三維堆疊封裝中,晶片厚度要求嚴(yán)格,因此減薄機的用量提升,并且需要控制精度以防止芯片的翹曲和破裂等問題。黃海金科等國內(nèi)企業(yè)的進展值得關(guān)注。

 

再看固晶機的發(fā)展。精確的芯片抓取和放置,以及外圍的精密度都在提升。也可以關(guān)注國內(nèi)設(shè)備制造商在這方面的進展。之前這一領(lǐng)域由BEST主導(dǎo),而現(xiàn)在華峰科技和新益昌等國內(nèi)公司也在積極拓展市場。

 

然后是鍵合技術(shù)。比如TB或者混合鍵合,我們可以關(guān)注的是這些技術(shù)的發(fā)展?fàn)顩r。模塑機方面,技術(shù)從注塑向壓塑轉(zhuǎn)變。在先進封裝設(shè)備中,模塑機有較大的變化。國內(nèi)在這部分有一定積累的企業(yè),如文藝科技和耐克裝備在壓塑方面的進展值得關(guān)注。

 

再來說電鍍設(shè)備,在ID及TSV等技術(shù)中電鍍是必需的,圣美科技等電鍍企業(yè)的布局需關(guān)注。

 

最后,機械設(shè)備在晶片清洗方面有較高要求,包括結(jié)晶度和離心式真空度等,可以關(guān)注清洗領(lǐng)域的價值提升。

 

資料來源:紀(jì)要私享圈(jiyaostation)


*聲明:本文系榮格電子芯片綜合整理,僅為傳播信息所用,不構(gòu)成任何投資依據(jù);如對文章內(nèi)容有異議,請聯(lián)系后臺。 

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