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SiC激光剝離技術新進展,單片成本降低約26%

來源:大半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng) 發(fā)布時間:2025-07-14 215
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深圳平湖實驗室使用國產(chǎn)的全自動化激光剝離系統(tǒng),2025年6月實現(xiàn)SiC激光剝離的單片總損耗≤75μm,單片成本降低約26%,達到國際先進水平。

自深圳平湖實驗室官微獲悉,近日,深圳平湖實驗室使用國產(chǎn)的全自動化激光剝離系統(tǒng),對激光剝離的機理進行深入研究、系統(tǒng)優(yōu)化激光剝離工藝參數(shù),2025年6月實現(xiàn)SiC激光剝離的單片總損耗≤75μm,單片成本降低約26%,達到國際先進水平,已完成三批次的小批量驗證,良率100%。

 

上述成果核心性能指標達到國際先進水平,在關鍵技術及設備上實現(xiàn)了自主可控,保障了供應鏈安全,降低了對外依賴風險,工藝成熟可靠,可快速實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化。

 

據(jù)悉,SiC單晶材料的高硬度、極高脆性、高化學穩(wěn)定性等特性導致其極難加工,行業(yè)主流采用多線切割技術進行SiC襯底的切割加工,單片總材料損耗在280-300 μm,而6inch的SiC襯底成品厚度在350um左右,相當于材料損耗率在46%左右。深圳平湖實驗室聚焦SiC激光剝離新技術的研究與開發(fā),旨在大幅降低碳化硅襯底的切割損耗,從而降低碳化硅襯底的成本,促進大尺寸SiC襯底規(guī)?;a(chǎn)業(yè)應用。

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