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工業(yè)充電器拓撲結構選型基礎知識:升壓PFC拓撲

來源:安森美 發(fā)布時間:2025-08-20 122
汽車制造電子芯片工業(yè)控制系統(tǒng)/輔助系統(tǒng) 應用及案例電子芯片制造半導體技術專欄
碳化硅(SiC)功率開關器件正成為一種廣受歡迎的選擇。此外,SiC還支持 IGBT技術無法實現(xiàn)的新型功率因數(shù)拓撲結構。

小到電動工具、割草機,大到叉車、托盤車及自動導引車等物料搬運設備,電池供電設備正日益成為工業(yè)和建筑領域的理想選擇。

 

這類電池充電器系統(tǒng)必須兼具可靠性與耐用性,在惡劣的戶外工業(yè)環(huán)境中保持性能良好,同時滿足緊湊輕量化設計且無需強制冷卻。此外,這些電池充電器系統(tǒng)可能需要由120 - 277 伏交流電甚至480 伏交流電供電。

 

碳化硅(SiC)功率開關器件正成為一種廣受歡迎的選擇,因其能夠實現(xiàn)更快的開關速度和更優(yōu)異的低損耗工作,從而在不妥協(xié)性能的前提下提高功率密度。此外,SiC還支持 IGBT技術無法實現(xiàn)的新型功率因數(shù)拓撲結構。

 

 

本文為第一篇,將聚焦工業(yè)充電器簡介、PFC 級選型。

 

簡介

工業(yè)電池充電器需要為不同的電池充電,如鉛酸電池、鎳氫電池和鋰離子電池。大多數(shù)基于電池的新型工業(yè)設備主要使用12 伏至120 伏的鋰離子電池和磷酸鋰電池。(圖1)

 

圖 1.鋰離子電池組的典型應用

 

工業(yè)充電器由PFC前端電路與帶恒壓恒流控制的隔離式DC-DC變換級組成。(圖2)

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圖 2.典型電池充電系統(tǒng)框圖

 

在許多設計中都會使用微控制器來對充電器進行編程,以適應不同的電池電壓和電流容量。為了實現(xiàn)更快速且高效率的充電,需要使用高頻充電器。智能電池充電系統(tǒng)能夠檢測電池的電壓和容量,并根據(jù)恒定電壓模式進行充電,同時通過監(jiān)測電池的電壓、電流和溫度來調(diào)節(jié)所需的充電電流。SiC MOSFET可在高工作頻率和高溫環(huán)境下穩(wěn)定運行,開關損耗和導通損耗更低。極低的功率損耗使得電池充電器可以實現(xiàn)高功率密度和高效率,散熱片更小,并能自然對流冷卻。

 

PFC 級選型

接下來,我們將對這些拓撲結構進行選型分析,并討論它們在不同電池供電應用中的適用性。

 

?升壓 PFC拓撲

連續(xù)導通模式升壓PFC 是一種簡單、低成本的解決方案。升壓拓撲由輸入EMI 濾波器、橋式整流器、升壓電感、升壓場效應管和升壓二極管組成,如圖3 所示。

 

圖 3. 升壓PFC拓撲

 

定頻平均模式控制器可用于實現(xiàn)高功率因數(shù)和低總諧波失真(THD),并調(diào)節(jié)輸出電壓。推薦使用安森美NCP1654和 NCP1655CCM PFC 控制器。對于大功率應用,可以使用交錯式PFC控制器,如FAN9672和FAN9673。升壓二極管(D1) 推薦使用650V EliteSiC 二極管。EliteSiC MOSFET 可用于高頻和大功率應用,如2 kW 至6.6 kW。帶有iGaN(集成柵極驅動器)的圖騰柱PFC 控制器IC(如NCP1681)可用于600 W 至1.0 kW 的應用。硅超級結MOSFET 和IGBT可用于 20 kHz 至 60 kHz 的低頻應用。

 

在大功率應用中,輸入電橋損耗明顯更高。用Si 或SiC MOSFET 等有源開關取代二極管,可以降低功率損耗。半無橋PFC 和圖騰柱PFC 拓撲非常流行,它們可以省去橋式整流器,從而減少損耗。

 

?圖騰柱PFC

圖騰柱PFC 由EMI 濾波器、升壓電感、高頻半橋、低頻半橋、2通道柵極驅動器和定頻圖騰柱PFC 控制器NCP1681B組成,如圖 4所示。

圖 4.圖騰柱 PFC拓撲

 

圖 5.基于 SiC的 3 kW 圖騰柱 PFC和 LLC電源

 

圖騰柱 PFC的高頻支路要求功率開關中集成的二極管具有低反向恢復時間。SiC和 GaN功率開關適用于圖騰柱PFC 的高頻支路。安森美建議在600 W 至1.2 kW 應用中使用帶集成柵極驅動器的iGaN,在1.5 kW 至6.6 kW 應用中使用SiC MOSFET。集成SiC 二極管的IGBT 可用于20 - 40 kHz 的應用。低頻支路可使用低RDS(on) 硅超級結MOSFET 或低VCE(SAT) IGBT。交錯式圖騰柱PFC 可用于4.0 kW 至6.6 kW 應用。

 

基于MOSFET的圖騰柱PFC級通過去除笨重且損耗大的橋式整流器,提高了效率和功率密度。安森美的650V EliteSiC MOSFET非常適合圖騰柱PFC的高頻支路。安森美650V EliteSiC MOSFET如NTH4L045N065SC1和NTH4L032N065M3S適合3.0kW的應用;NTH4L015N065SC1和即將上市的NTH4L012N065M3S適合6.6kW的應用。NTHL017N60S5H則適用于圖騰柱PFC的低頻支路。

(圖 5顯示了基于SiC的 3 kW圖騰柱 PFC和 LLC電源的示例)。

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